دانلود رایگان اطلاعات کد فلش ناند NAND Flash Code Information

دانلود رایگان اطلاعات کد فلش ناند NAND Flash Code Information

دو نوع حافظهٔ فلش وجود دارد که بر حسب منطق‌های NAND , NOR نام‌گذاری شده‌اند سلول‌های مستقل حافظهٔ فلش مشخصات درونی مشابهی با دروازهٔ مربوط را نشان می‌دهند. در حالی که EPROMها باید قبل از نوشته شدن به‌طور کامل پاک شوند، فلش‌های نوع NANDمی‌توانند هم‌زمان در بلوک‌هایی که معمولاً از کّل دستگاه کوچکترند خوانده و نوشته شوند. فلش‌های NOR به یک کلمهٔ ماشینی تنها (بایت) اجازه می‌دهند بر روی یک محل پاک شده بدون وابستگی نوشته یا خواند شوند. نوع NAND به صورت عمده در کارت‌های حفظ فلش‌های یواس‌بی و درایوهای حالت جامد و محصولات مشابه برای ذخیره معمولی و انتقال داده استفاده می‌شود.

فلش‌های NAND, NOR معمولاً برای ذخیره پیکر بندی داده‌ها در بسیاری از محصولات دیجیتالی استفاده می‌شوند مسئولیتی که در گذشته به وسیلهٔ EPROMها یا حافظهٔ استاتیک باتری دار ممکن می‌شد. یکی از معایب حافظهٔ فلش تعداد محدود چرخه‌های خواندن یا نوشتن در یک بلوک خاص است. فلش‌های NOR و NAND نام خود را از روابط داخلی بین سلول‌های حافظه‌شان می‌گیرند. مشابه گیت نند، در فلش‌های نند هم گیت‌ها در سری‌هایی به هم متصل هستند. در یک گیت NOR ترانزیستورها به‌طور موازی به هم متصل هستند و مانند آن در فلش NOR سلول‌ها به‌طور موازی به خطوط بیت متصل هستند و به همین دلیل است که سلول‌ها می‌توانند جداگانه و مستقل، خوانده و برنامه‌نویسی شوند. در مقایسه با فلش‌های NOR جایگزین کردن یک ترانزیستور با گروه‌های سری لینک شده یک سطح آدرس دهی اضافی به آن‌ها می‌افزاید. در حالی که فلش‌های NOR می‌توانند حافظه را با صفحه و سپس کلمه آدرس دهی کنند. فلش‌های NAND می‌توانند آن را با صفحه، کلمه و بیت آدرس دهی کنند.

فلش NAND

فلش NAND نیز از ترانزیستورهایی با گیت شناور استفاده می‌کند اما آن‌ها به صورتی به هم متصل اند که گیت NAND را شبیه‌سازی می‌کنند. تعداد زیادی از ترانزیستورها به صورت سری متصل اند و خط بیت تنها در صورتی Low می‌شود که تمامی خطوط کلمه‌ها High شده باشند. سپس این گروه‌ها به وسیلهٔ تعداد اضافی ترانزیستور به یک آرایه با استایل NOR متصل شده‌اند مشابه حالتی که ترانزیستورهای تنها در یک فلش NOR به هم ارتباط پیدا کرده‌اند.